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本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。
采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究
【摘 要】
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本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学系,浙江大学材料科学与工程学系
【出 处】
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浙江大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1990年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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