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利用射频磁控溅射方法以不同的射频功率（80～130W）在硅衬底上制备出一组硼碳氮（BCN）薄膜．傅里叶红外吸收光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合．射频功率对薄膜的组分和厚度有很大影响，二者随射频功率的增大而呈规律性变化．B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜较厚．并且，射频功率为110W条件下制备的硼碳氮薄膜中C元素含量最低，薄膜最厚．