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基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走，但研究已经开展起来。目前也取得了一些成果，比如对概念的物理分析。实际操作中也取得一些突破，如在氮化铟上对氮化镓进行高选择性刻蚀；在氮化镓／氮化铟上对金属氧化物半导体结构制备工艺；
瞄准未来-太赫兹晶体管
【摘 要】
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基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走，但研究已经开展起来。目前也取得了一些成果，比如对概念的物理分析。实际操作中也
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2015年3期
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