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为了评价外源ATP对Cd胁迫下绿豆根生长的保护作用，对绿豆细胞死亡程度、根中超氧阴离子（O2＊-）及根中O2＊-进行了测定。结果表明，ATP（400μM）缓解了Cd（10μM）对根生长的抑制作用，降低了cd诱导的根尖的细胞死亡。Cd诱导的根的生长抑制部分原因是由于Cd抑制细胞问质O2＊-的水平。ATP处理对于Cd胁迫下细胞问质O2-＊-的水平有提升效果。因此，外源ATP可能通过维持Cd胁迫下细胞内的氧化还原状态而表现出其保护作用。