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技术动向1986年当时索尼公司的鲛岛等人报告了由a-Si膜的ELA(受激准分子激光器退火)生成结晶及采用该技术的多晶硅TFT(p-Si TFT)的制作.处理温度为260℃,显示了电场效应迁移率180cm2/Vs且特性良好的低温p-Si TFT实现的可能性.
LTPS TFT—LCD模块的现状及展望（上）
【摘 要】
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技术动向1986年当时索尼公司的鲛岛等人报告了由a-Si膜的ELA(受激准分子激光器退火)生成结晶及采用该技术的多晶硅TFT(p-Si TFT)的制作.处理温度为260℃,显示了电场效应迁移
【出 处】
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电子产品世界
【发表日期】
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2002年11A期
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