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介绍了热释电探测器PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅（PZT）陶瓷材料制作敏感元的理论依据，阐述了晶片磨抛理论，对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果，并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析，得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜（SEM）照片和晶片表面形态，确定了最佳抛光材料。通过理论和实践的结合，研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器晶片。