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利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率。随着热退火温度的升高，黑硅内载流子的浓度缓慢下降，载流子迁移率却同步增加，这说明黑硅内载流子散射的主要形式是电离杂质散射。
利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响
【摘 要】
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利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率。随着热退火温度的升高，黑硅内载流子的浓度缓慢下降，载流子迁移率却同步增加，这说明
【机 构】
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河南大学微系统物理研究所,河南大学普通物理实验教学中心
【出 处】
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物理实验
【发表日期】
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2014年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助（No.61204002）
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