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研究了聚乙撑二氧噻吩修饰电极在水溶液中的电化学行为及对抗坏血酸的电催化作用。实验表明抗坏血酸在聚乙撑二氧噻吩修饰电极上的氧化峰电位为＋０．２３Ｖ，较其在铂电极上氧化峰电位负移２２０ｍＶ．在１．０×１０＾－＾１－１．０×１０＾－＾５ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内，峰电流和抗坏血酸的浓度有线性关系，可用于水果等样品中抗坏血酸的测定。