【摘 要】
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Tri Quint与Lockheed Martin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaN HEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的“先进的栅
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Tri Quint与Lockheed Martin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaN HEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的“先进的栅工艺”使GaN HEMT的功率密度比传统的E电子束及
Tri Quint and Lockheed Martin jointly developed a GaN HEMT with high power density, PAE and long RF lifetime. The device has a continuous wave power of 12W / mm and a PAE of 50% at 10GHz. TriQuint uses its unique “advanced gate technology” to make GaN HEMTs have a higher power density than traditional E-beam and
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