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由于石墨烯具有高电子迁移率的特性，可以用来制备高频电子器件。利用传输矩阵方法，对石墨烯Pn结及方形势垒纳米结构中的负微分电阻效应进行了研究。证实了石墨烯p-n结中负微分电阻现象比传统半导体中的幅度要小，石墨烯中Klein隧穿过程的存在使负能量范围内的空穴对电流产生影响。石墨烯纳米方形势垒中发生负微分电阻效应的位置在费米面附近，势垒宽度越大，对载流子的阻挡越大，负微分电阻效应越明显。