【摘 要】
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<正> 一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的
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<正> 一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的氧化层厚度为15～25nm,1MDRAM和电可擦可编程序唯读存贮器(EEPROM的氧化层厚度小于10nm。如图1所示。 氧化层不仅可用作MOSFET的栅介质,还可构成动态存贮器的存贮电容,并提供器件之间的隔离层。随着集成度的提高,芯片面积不断增大,器件尺寸按比例缩小,栅介质的不稳定和击穿等成为MO
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