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本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压△ＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成△ＶＴ（ｔ）的正向时漂，提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释。
pH—ISFET输出时漂特性的研究
【摘 要】
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本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压△ＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸
【机 构】
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暨南大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年12期
【基金项目】
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广东省自然科学基金
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