^60Coγ光子在SiO2材料中能量沉积的研究

来源 :西安工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhiming0077

【摘要】

：

针对目前高能光子的电离辐射效应极大的影响半导体材料广泛应用的现状,以MOS器件为研究对象,利用高能光子反应截面数据库,采用蒙特卡罗模拟方法,用C语言编写了模拟程序,对高

【作者】

：

答元白岗

【机构】

：

西安工业大学理学院

【出处】

：

西安工业大学学报

【发表日期】

：

2013年5期

【关键词】

：

电离辐射光子蒙特卡洛模拟金属氧化物半导体 SIO2 ionizing radiationphotonsMonte Carlo simulationMOSS

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针对目前高能光子的电离辐射效应极大的影响半导体材料广泛应用的现状,以MOS器件为研究对象,利用高能光子反应截面数据库,采用蒙特卡罗模拟方法,用C语言编写了模拟程序,对高能光子在MOS器件的SiO2层中的输运过程进行了模拟和计算.计算结果表明,MOS器件的电离损伤与SiO2层的厚度关系很大,减小SiO2层的厚度可以明显地减少SiO2中的能量沉积,使得MOS器件的电离损伤减小.

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