HgCdTe分子束外延In掺杂研究

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【摘要】

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报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In 作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有

【作者】

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巫艳王善力陈路于梅芳乔怡敏何力

【机构】

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半导体材料与器件研究中心及国家红外物理实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

分子束外延 HGCDTE 掺杂铟红外焦平面阵列探测器材料 MBE HgCdTe in doping

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报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In 作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～3×1015cm-3水平.比较了高温退火前后In在HgCdTe中的扩散行为,得出在400℃温度下In的扩散系数约为10-14cm2/s,并确认了In原子作为HgCdTe材料的n型掺杂剂的可用性和有效性.

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