MIS器件相关论文
本文通过在P-HgCdTe上生长自身硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特笥的分析,获得了ZnS/自身......
碲镉汞材料是由半金属的碲化汞和半导体的碲化镉混合而成的半导体，自被发现以来，由于其禁带宽度可调，可以实现对整个红外波段的探测，并......
本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外,还给出了几种不同电压扫描率下I/V......
通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器......
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明，自身阳极硫化＋单层ZnS对HgCdTe......
用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt<sub>2</sub>OH LB膜,制做了Al/FeSt<sub>2</sub>OH LB膜/Si（MIS）结构,测定了5层膜的MIS结构的C-V......
利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现......
通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化......
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳......
HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延（LP......
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体－半导体器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释。......
——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光......
基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件,当温度T<130K时,占优势的暗电流......
介绍了HgCdTeMIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导......
HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(L......
Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Hg1-xCdxTe材料，随着材料组分变化，它的带隙在-0.3eV～1.6eV的范围内变化。覆盖了大气窗口1～3μm，3～5μm，8～14μm三个......
随着集成电路的不断发展，集成电路特征尺寸不断减小导致漏电流增加，需要采用高介电常数栅介质材料来代替氧化硅材料。因此，针对铪基MI......
