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应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式
应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式
来源 :液晶与显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gs086449
【摘 要】
:
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程.优
【作 者】
:
王浩
廖常俊
范广涵
刘颂豪
郑树文
李述体
郭志友
孙慧卿
【机 构】
:
华南师范大学信息光电子学院
【出 处】
:
液晶与显示
【发表日期】
:
2004年2期
【关键词】
:
原子层外延法
分子层外延法
金属有机化学气相淀积
参数调整
外延设备
ALE反应装置
atomic layer epitaxy
MOCVD
sub-atomi
【基金项目】
:
国家科技攻关计划资助项目 (No.0 00 68) ,国家“973”资助项目 ( 0 0 1CB3 0 93 0 2 ) ,广东省重大科技专项资助项目 (No .2 0 0 3A10 3 0 40 5 )
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应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程.优化调整反应参数实现了优质外延。
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