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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力，通过改变薄膜沉积时的工艺参数，考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上，对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。
氮化硅介质薄膜内应力的实验研究
【摘 要】
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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力，通过改变薄膜沉积时的工艺参数，考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率
【机 构】
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福州大学电子科学与应用物理系
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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福建省自然科学基金资助项目! (E 9810 0 0 4)
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