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基于热力学平衡和化学平衡理论,针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR-MOCVD)系统生长GaN的特点,给出了化学平衡模型和理论分析结果 .计算得出了六方GaN的生长驱动力ΔP与生长条件(Ⅲ族源输入分压P0Ga 、Ⅴ/Ⅲ比、生长温度)的关系.发现在600～900℃内GaN沉积生长速率由Ⅲ族源气体的质量输运所控制.计算得到了六方GaN生长的决定因素和相图.理论计算和实验结果通过比较发现是吻合的.