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分别以硒脲和硒粉为Se^2-制备剂的主要原料，用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析。两种制备方法均获得了结晶度良好的PbSe多晶薄膜。以硒粉所制备的PbSe薄膜颗粒度为1μm，以硒脲所制备的薄膜颗粒度为0．3μm，小颗粒薄膜出现红外吸收限蓝移现象。测得由所制备的薄膜得到的PbSe光导型探测器原型器件的电压响应率为1200V/W.