论文部分内容阅读
随着信息技术的不断发展,多媒体已经成为学校常用的教学设备。建立现代化的教学模式,需要结合课程特征和学生的学习效率进行综合设计,探索数学学科的科学教学规律,丰富课堂教学内容,建设开放、动态、丰富的多媒体资源库。本文以小学数学多媒体教学资源库建设为主体,进行了全方位的研究分析。
小学数学课程多媒体教学资源库建设的思考
【摘 要】
：
随着信息技术的不断发展,多媒体已经成为学校常用的教学设备。建立现代化的教学模式,需要结合课程特征和学生的学习效率进行综合设计,探索数学学科的科学教学规律,丰富课堂教学内容,建设开放、动态、丰富的多媒体资源库。本文以小学数学多媒体教学资源库建设为主体,进行了全方位的研究分析。
【机 构】
：
淄博市临淄区稷下小学
【出 处】
：
中小学电教(教学
【发表日期】
：
2021年08期
其他文献
随着互联网和通信技术的发展,以网络为媒介的社会交往成为青年群体日常生活的重要部分。本研究通过对大学生异地恋情侣网络交往过程的质性研究呈现其交往的感性化特质,即网络交往语言亲密化,网络交往拉近心理距离,延续传统社会交往规范。网络是中国异地恋青年维系和发展亲密关系的新空间,青年通过网络空间产生比网下空间更为亲密的"文恋"的感性交往形态。网络也是青年延续传统社会交往规范进行感性交往的新空间,青年通过"交
[目的]长江流域内水生生物资源骤减给长江生态环境带来了严重的负面影响，引起政府、社会和民众的高度关注，长江禁捕工作迫在眉睫，我国政府已经开始制定保护长江生态系统的政策。[方法]多源流理论分析框架是剖析政策过程及其政策影响的重要工具，多源流理论能为我国长江大保护政策过程提供新的解释角度。本文以长江禁捕政策议程为载体，运用多源流理论框架中的问题源流、政策源流和政治源流分析了长江禁捕政策议程；[结果]通
与其他GaN基单异质结材料相比,传统的单异质结材料AlxGa1-xN/GaN拥有相对较强的自发极化和压电极化,使得异质结界面存在高密度和高迁移率的二维电子气。因此,单异质结材料AlxGa1-xN/GaN可以广泛应用于高频、大功率半导体器件领域。为了进一步提高AlxGa1-xN/GaN HEMT的器件性能,本文研究In GaN作为Al GaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了Al GaN
相比于传统Si基功率MOSFET,AlGaN/GaN HEMT具有更强的沟道导电能力、更小的寄生电容（CISS和COSS）,且不存在由寄生体二极管引入的反向恢复电流,在高频、高速领域有着极宽广的应用前景,但是,由于AlGaN/GaN异质结界面存在由极化效应导致的高浓度2DEG,AlGaN/GaN HEMT是本征耗尽型器件。而增强型功率开关器件由于具有失效保护功能（Fail-Safe）,且仅需要单电
近年来,GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT,GaN High Electron Mobility Transistor）已被广泛地应用于各大新兴半导体发展领域,如快速充电器、激光雷达和数据中心等。因其在国家战略安全和产业加速升级等方面的重要作用,正成为我国集成电路领域重点科研攻关方向之一,在最近公布的“十四五”规划和2035年远景目标纲要中,明确出要加快氮化镓等宽禁带半导体的发展。在最新的
青少年是祖国的未来和希望,在他们的心中植入"清廉教育"的种子,能帮助他们形成诚实守信、正直节俭、崇尚廉洁的核心价值观,从而为广大青少年树立正确的世界观、人生观奠定良好的基础。
根据多年的设计实践经验,提出了一种典型的铁路数据中心供配电系统的设计方案,其内容主要包括供电负荷等级划分、供电原则、10kV配电所、10/0.4kV变电所、UPS不间断电源系统、柴油发电机组等的设计。该铁路数据中心为A级数据中心,对供电可靠性、运行稳定性、经济性价比等要求很高。通过研究该供配电系统的设计思路和设计方案,以期为铁路行业的相关设计提供借鉴。
电力电子半导体器件作为电能变换与传输的核心,在新能源发电、电动汽车、电气电子设备电源等领域中具有至关重要的作用。传统硅基MOSFET器件已经逼近物理极限,而宽禁带半导体器件具有高频高效、耐高温、抗辐射等多方面优势。其中氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）借助二维电子气（2DEG）更快的电子饱和漂移速度具有更高的开关频率。GaN HEMT已经在快充电源、激光雷达、消费类电子设备等电源系统中广