【摘 要】
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为适应高频器件对低温高发射阴极的需求,发展了一种新型的多孔钨微尖阵列阴极,并对其发射特性进行了测试和分析。新阴极特征为,采用激光熔刻技术在多孔钨基体表面构造出规则
【机 构】
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中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室,中国科学院大学
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为适应高频器件对低温高发射阴极的需求,发展了一种新型的多孔钨微尖阵列阴极,并对其发射特性进行了测试和分析。新阴极特征为,采用激光熔刻技术在多孔钨基体表面构造出规则排列的微尖阵列,基体内部孔隙浸渍含钪高活性发射物质,经高温激活之后用作低温发射阴极。二极管测试表明,在850和650℃阴极脉冲发射电流达到57.02和8.23A/cm2。分析认为,阴极属于场发射电子占主导地位的热辅助场发射阴极。
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