156GHz0．15μmGaAs Metamorphic HEMT器件研制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Liujiajia0801

【摘要】

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应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理论分析，优化了器件源漏间距，从而减小了器

【作者】

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康耀辉高建峰黄念宁陈堂胜

【机构】

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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2010年1期

【关键词】

：

渐变组分高迁移率晶体管 T形栅截止频率 MHEMT T-gate cut-off frequency

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应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理论分析，优化了器件源漏间距，从而减小了器件寄生参数，达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT饱和电流达到495mA／mm，夹断电压-0．8V，在Vgn为-0．19V时的最大非本征跨导gm为1032mS／mm，截止频率ft达到156GHz，最大振荡频率，fmax大于15

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