应用电子束直写技术成功制作了栅长0．18μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理......

应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路......