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以碳热还原法生产的AlN粉体为原料,用国产六面顶压机,在5.0 GPa,1 300~1800℃,在无烧结助剂的情况下,高压烧结制备了AlN陶瓷。用X射线衍射、扫描电镜对高压烧结AlN陶瓷微观结构进行了表征。结果表明:经1300℃烧结50 min制备的AlN陶瓷的相对密度达94.8%。经1 400℃烧结50min制备的AlN陶瓷的断裂模式为穿晶断裂。经1800℃烧结50min制备的AlN陶瓷由单相多晶等轴晶粒组成,该样品的热导率达115.0W/(m·K)。高压烧结制备的AlN陶瓷的晶格常数比AlN