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目前，绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块逐渐成为电力电子装置中的主导器件，及早发现其内部缺陷，是避免突发故障的关键举措之一，对增强电力电子装置运行可靠性具有重要意义。为此，提出一种基于门极充电初始阶段电压信号功率谱密度分析的IGBT模块内部缺陷识别方法。该方法建立在IGBT模块运行过程中因经受电、热应力累积而导致门极寄生参数变化的基础上，通过分析门极电压信号功率谱密度的变化，来判断模块内部是否存在缺陷。实验结果验证了其诊断结论的正确性和实用性。