【摘 要】
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ZnTe：O高失配合金半导体是实现中间带太阳电池的有效途径,其制备通过如下几步实现：1）分子数外延（MBE）设备进行ZnTe单晶生长;2）将分子束外延制备的单晶ZnTe进行离子束注入;3）通过快速
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ZnTe：O高失配合金半导体是实现中间带太阳电池的有效途径,其制备通过如下几步实现：1）分子数外延（MBE）设备进行ZnTe单晶生长;2）将分子束外延制备的单晶ZnTe进行离子束注入;3）通过快速激光退火处理来实现ZnTe晶体质量的提升,修复晶格损伤。MBE所获得的最优晶体质量的条件是Zn源温控制在260℃,Te源温控制在290℃。掺杂O为1.25×1021cm-3时,所获得的中间带效果最好,并且在经过激光快速退火处理后,中间带的强度显著提升。
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