浅析退火温度对金属薄膜残余应力的影响

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伴随着材料科学与技术的发展,目前半导体材料已从常规的元素半导体如硅、锗基材料拓展至化合物半导体、复合半导体材料、半导体-金属复合材料等形式,其中半导体金属复合材料在热、电、声、光等领域具有广泛的应用而受到关注。半导体材料外层金属化技术,能够使其具备半导体特性,同时还具有金属性质。因此对半导体的深入研究势在必行。文章将以浅析退火温度对金属薄膜残余应力的影响作为切入点,在此基础上予以深入的探究,相关内容如下所述。
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