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研究了Ｈ＾＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＾＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＾＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化学严重，而热靶Ｏ＾＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。