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研究了Al2O3掺杂对Y2O3稳定的ZrO2材料电导性能的影响。因为Al与自由氧离子空穴缔合的能力大于Y，所以YSZ的晶粒电导随Al2O3含量的增大而减小。Al2O3一方面能清除晶界上的SiO2，同时又与晶界中的氧离子空穴缔合，在这两方面影响下，随Al2O3含量的增大，晶界电阻先减小后增大。
Al2O3掺杂YSZ的电性能
【摘 要】
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研究了Al2O3掺杂对Y2O3稳定的ZrO2材料电导性能的影响。因为Al与自由氧离子空穴缔合的能力大于Y，所以YSZ的晶粒电导随Al2O3含量的增大而减小。Al2O3一方面能清除晶界上的SiO2，
【机 构】
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中国原子能研究院,湖南大学化学化工学院
【出 处】
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陶瓷科学与艺术
【发表日期】
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2003年4期
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