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对氮化硅阻挡层或ARC层的去除通常使用在高温磷酸溶液中选择性氮化硅刻蚀.简要地阐述氮化硅刻蚀的工艺特性,及对氮化硅刻蚀后氧化硅厚度的控制提出一点见解.
氮化硅刻蚀工艺的研究
【摘 要】
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对氮化硅阻挡层或ARC层的去除通常使用在高温磷酸溶液中选择性氮化硅刻蚀.简要地阐述氮化硅刻蚀的工艺特性,及对氮化硅刻蚀后氧化硅厚度的控制提出一点见解.
【机 构】
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上海先进半导体制造股份有限公司
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2004年6期
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