增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：songzilang

【摘要】

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介绍了增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法，并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数．利用ADS软件验证了提参结果，ADS仿真的直流I-V曲线和S参数

【作者】

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徐静波尹军舰张海英李潇刘亮叶甜春

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年3期

【关键词】

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增强型 InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 小信号等效电路参数提取 enhancement-mode InGaP/AIGaAs/InGaAs

【基金项目】

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国家自然科学基金（批准号：60276021）和国家重点基础研究发展规划（批准号：2002CB311901）资助项目

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介绍了增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法，并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数．利用ADS软件验证了提参结果，ADS仿真的直流I-V曲线和S参数与实测结果基本吻合．结果表明EEHEMT1模型可以用于提取增强型PHEMT参数，并且具有可操作性．

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