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本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂理低于０．６×１０＾１８Ｏ＾＋／ｃｍ＾２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛。
SIMOX材料制备中注入剂量优化研究
【摘 要】
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本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂理低于０．６×１０＾１８Ｏ＾＋／ｃｍ＾２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高
【机 构】
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北京大学微电子研究所,中国科学院上海冶金所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1996年11期
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