【摘 要】
：
利用沪深A股的软件和集成电路上市公司样本，实证检验贸易政策不确定性对中国软件和集成电路企业经营风险的影响。结果发现，贸易政策不确定性上升总体上将加剧软件和集成电路企业经营风险。进一步区分“企业-区域-行业”维情境差异检验发现，上述结论仅在融资约束程度较高、地区市场化水平较低、行业景气程度较差时显著。说明在中国经济外部环境更趋复杂严峻和不确定的情况下，软件和集成电路企业经营面临贸易政策不确定性的负面
【基金项目】
：
国家自然科学基金面上项目（72074027）； 北京社科基金重点项目（19JDGLA007）；
论文部分内容阅读
利用沪深A股的软件和集成电路上市公司样本，实证检验贸易政策不确定性对中国软件和集成电路企业经营风险的影响。结果发现，贸易政策不确定性上升总体上将加剧软件和集成电路企业经营风险。进一步区分“企业-区域-行业”维情境差异检验发现，上述结论仅在融资约束程度较高、地区市场化水平较低、行业景气程度较差时显著。说明在中国经济外部环境更趋复杂严峻和不确定的情况下，软件和集成电路企业经营面临贸易政策不确定性的负面影响，并存在情境差异。据此提出有关降低贸易政策不确定性、确保企业经营安全与高质量发展的策略建议。
其他文献
人工智能在分割、重建医学及图像处理等方面均发挥重要作用。儿童CT检查应遵循尽可能低辐射剂量原则，即在低辐射剂量下最大限度保持或获得更高图像质量。本文对基于人工智能的深度学习CT图像迭代重建技术及其用于儿童CT进展进行综述。
由于速冻食品不受地域、季节限制，并且可延长产品保质期，受到了广大消费者的欢迎。此外，速冻食品具有耐储藏、运输便捷等优点，使速冻食品产业经济得到了进一步发展。因此，本文介绍了速冻食品的发展历程，阐述了速冻食品存在的问题，并提出相应的解决对策，为速冻食品的进一步发展提供参考。
内审机构作为履行内部审计职能的主要载体，其组织效能能够综合地反映企业内部审计质量。文章在已有研究的基础上全面分析了内审机构组织效能的影响因素，基于成长性、独立性、权威性、专业性、职业行为和审计环境六个评价维度，构建了企业内审机构组织效能评价指标体系。通过调查问卷方式获取845个有效样本作为指标数据，利用模糊C-均值聚类算法实现组织效能等级标签的标注，使用决策树、支持向量机、人工神经网络、随机森林、
＜正＞"雄赳赳,气昂昂,跨过鸭绿江。"70年前,1950年10月19日,中国人民志愿军开赴朝鲜前线。70年后,2020年10月19日,纪念中国人民志愿军抗美援朝出国作战70周年主题展览在北京开幕。习近平总书记在参观展览时强调,要在新时代继承和弘扬伟大抗美援朝精神。
随着我国经济的快速发展,工业用电及生活用电量不断的上升,有效促进了我国发电站及变电站的建设。电气设备安装技术质量直接关系到变电站最终的运行质量,因此对变电站安装施工过程中电气安装技术进行分析与探讨,是确保变电站工作质量的基础。
随着当今互联网业务的不断发展,冲击着线下业务,给线下门店带来了巨大的挑战。诚然,线下商店仍然有存在的必要。其不仅可以让用户体验产品,全方位的了解一个新产品的性能,而且即便供应链和快递业如何发展,也没有线下门店可以让顾客即时收到货的优势。但是线下门店也承担着更多的费用,人力成本,门店租金等等。为了能够良好转型,也实现线下门店的长足发展,这时候急需我们用先进的思路更新旧有的线下销售模式,降低成本,提高
石墨烯和不锈钢的黏附结合对石墨烯在不锈钢材料表面的应用有着重要的意义。不锈钢表面形貌会影响石墨烯的黏附行为，合理的微结构形貌和参数有利于石墨烯的黏附，提升不锈钢表面石墨烯的综合性能。本工作建立了矩形、波纹、半圆以及尖峰截面微结构不锈钢的分子动力学仿真模型，探究了微结构与石墨烯之间的黏附能以及竖直作用力，揭示了石墨烯在不锈钢表面的黏附机理。研究表明：石墨烯的黏附状态受微结构形貌和参数的影响。在仿真中
通过对新型研发机构进行模块化分析，提出新型研发机构运行过程的韧性化解释，识别出循环可变性、交互性、冗余性、稳健性四维韧性特征，构建新型研发机构韧性评价体系，并选取初创型和成长型两类新型研发机构开展实践应用，验证该评价体系的合理性和可行性，为保障新型研发机构抵御外部冲击，实现良性发展提供新路径。
针对传统视觉SLAM准确度低、实时性差、缺乏语义的问题，提出一种全新的RGB-D语义分割网络，利用室内场景中受光照等条件影响较小的深度信息来提高分割的准确性，并且设计了轻量级多尺度残差模块（MRAM）和空间金字塔池化模块（ASPP）来轻量化分割网络、提高分割的精度。首先输入的图像序列进入ORB-SLAM2网络进行关键帧筛选，之后关键帧送入语义分割网络得到二维语义标签，再将二维语义信息映射到三维点云
碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压Si C MOSFET器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压Si C MOSFET器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。