【摘 要】
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用光荧光谱(PL)方法研究了无杂质空位诱导(IFVD)InGaAs/InP多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移. 实验中选用Si3N4作为电介质层,用以产生空位,并经快速热退火处理,产生扩散. 实验结
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用光荧光谱(PL)方法研究了无杂质空位诱导(IFVD)InGaAs/InP多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移. 实验中选用Si3N4作为电介质层,用以产生空位,并经快速热退火处理,产生扩散. 实验结果表明,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关,最佳退火条件是800℃, 10 s. 同时二次离子质谱(SIMS)的分析表明,电介质盖层Si3N4和快速热退火(RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩,这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因.
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