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研究了以ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＶ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０．４Ｐａ。
GaAs衬底上立方GaN的低温生长
【摘 要】
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研究了以ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＶ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０．４Ｐａ。
【机 构】
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大连理工大学电磁工程系
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家863新材料领域,国家自然科学基金
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