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研究了蚀刻气体对生长在硅衬底上纳米晶金刚三合成的影响．合成方法为热丝化学气相沉积法，衬底温度为550℃，反应压力为4kPa，其中甲炕和氢气分别作为源气体和稀释气体．氮气、氢气和氨气用作蚀刻气体．结果表明，仅氢气作为蚀刻气体可获得最佳工艺条件．
硅衬底上纳米晶金刚石生长
【摘 要】
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研究了蚀刻气体对生长在硅衬底上纳米晶金刚三合成的影响．合成方法为热丝化学气相沉积法，衬底温度为550℃，反应压力为4kPa，其中甲炕和氢气分别作为源气体和稀释气体．氮气、氢气和
【机 构】
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伊朗伊斯兰阿萨德大学等离子物理研究中心,日本东北大学电子工程学系
【出 处】
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化学物理学报
【发表日期】
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2010年6期
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