慢正电子束相关论文
正电子湮没技术是一门将核物理、核技术应用于固体物理、材料科学、化学、生命科学等学科领域的技术。它以正电子作为探针,通过探......
作为反物质世界的一颗璀璨明珠,正电子（电子的反粒子）,因其对电子异常灵敏的特性而被用于研究材料的微观结构。在Anderson发现正电子......
本文使用正电子湮没技术,对WOx气敏材料和ZnO/Metal/ZnO金属介质多层膜做了系统地研究,分析了样品的实验数据,并得到一些有意义的......
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,衬底加热 30 0℃ ,纯Ar气氛下制备的用Y2 O3 稳定的ZrO2 薄膜材料 (简称YSZ薄膜 ) ,发现......
在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×1015cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产......
慢正电子束技术是近十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段 .文章介绍了其在薄膜、界面和近表面测量的基本方法和部分应......
用慢正电子束 (SPEB)对自制ZrO2 薄膜进行了成分分析 .结果发现 ,ZrO2 薄膜表层存在一个厚约2 0nm的高正电子吸收层 ,该表层的特殊......
采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016 cm-2的样......
针对基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流系统对输运磁场的设计要求,本文对不同规格的磁场输运线圈模型、长螺线管端口处磁场......
本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射（XRD）以及慢正电子束分析（SPBA）手段研究了不同退火温度下氦在钨体......
用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷......
用蒸发／冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜，用广延X射线吸收精细结构（EXAFS）和慢正电子束进行研究。与相应的本材料相比，虽然未发现Cu-Cu......
正电子湮没技术是一种研究材料的微观缺陷和相变的灵敏工具，在通常的正电子谱仪中，正电子能量为MeV量级，在样品中注入深度比较深(～100......
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S......
采用慢正电子束流多普勒展宽测量技术对经过He+辐照的FeCrNi合金与316不锈钢微观结构进行研究,实验发现He离子辐照在样品内部产生......
建立了慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模型，研究了在该材料中不同孔洞的直径、孔洞体积百分比对正电子几率分布的影响，得到......
用脉冲激光沉积方法在Al2O3（0001）衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO......
用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,......
环氧涂层在服役期间,由于受到外界环境因素的影响而容易发生老化。在室外条件下,光老化是导致环氧涂层失效的主要因素之一。目前,......
自旋电子学器件由于具备运算速度高、能耗和发热率小等特点将对未来信息技术带来变革。稀磁半导体(DMSs)作为自旋电子学器件的核心......
同时利用了电子电荷属性和自旋属性的稀磁半导体是自旋电子学器件的核心材料,有望给未来的信息传输与处理、存储方式与规模带来重......
近年来，以ZnO和GaN为代表的第三代半导体材料由于其独特的物理特性引起了科研人员极大的研究兴趣，这些材料中的点缺陷是影响其性能的......
近年来,钛酸铋（Bi4Ti3O12,BIT）铁电薄膜材料及薄膜器件成为国内外科学工作者研究的热点。Bi4Ti3O12薄膜材料与Si单晶的晶格失配度小,......
用慢正电子束入射固体靶表面,通过测量湮没光子能谱随靶温度和入射慢正电子能量的变化,用“峰法”确定慢正电子产生电子偶素原子的......
