Ⅲ族氮化物材料

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【摘要】

：

1Ⅲ族氮化物半导体的研究意义关于Ⅲ族氮化物的研究并不是最近才开始的.由于晶体生长工艺的改进,Ⅲ族氮化物的研究才有了长足的发展.自然界不存在天然的Ⅲ族氮化物晶体,为了

【作者】

：

亢勇

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

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红外

【发表日期】

：

2002年11期

【关键词】

：

Ⅲ族氮化物半导体生长工艺物理特性能带结构

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1Ⅲ族氮化物半导体的研究意义关于Ⅲ族氮化物的研究并不是最近才开始的.由于晶体生长工艺的改进,Ⅲ族氮化物的研究才有了长足的发展.自然界不存在天然的Ⅲ族氮化物晶体,为了制备高质量的单晶,目前普遍采用外延法生长.外延法主要有分子束外延(MBE)、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、氢化物汽相外延(HVPE)等.有了高质量的单晶薄膜,才使相应材料特性的研究及器件的制备成为可能,同时人们对Ⅲ族氮化物也有了进一步的认识.Ⅲ族氮化物优良的特性也越来越引起人们的兴趣.

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