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采用累积误差小的Runge-Kutta-Verner方法,热平衡条件下n区厚度为80,100,200μm,分别在指数掺杂和线性掺杂方案下数值求解了掺杂半导体中的电场强度分布.研究发现,在掺杂总量保持不变时,指数掺杂优于线性掺杂。
梯度掺杂半导体电场强度的数值计算
【摘 要】
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采用累积误差小的Runge-Kutta-Verner方法,热平衡条件下n区厚度为80,100,200μm,分别在指数掺杂和线性掺杂方案下数值求解了掺杂半导体中的电场强度分布.研究发现,在掺杂总量
【机 构】
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河北科技大学理学院
【出 处】
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河北师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2009年2期
【基金项目】
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河北省科技攻关计划项目（052135165）,河北科技大学青年基金（2006JC-17）
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