【摘 要】
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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法制备了100μm米厚高质量(100)定向金刚石薄膜.利用(100)定向金刚石薄膜成功制备了α粒子探测器,-100V偏压下电荷平均收集效率为37.7
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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法制备了100μm米厚高质量(100)定向金刚石薄膜.利用(100)定向金刚石薄膜成功制备了α粒子探测器,-100V偏压下电荷平均收集效率为37.7%,最大的电荷收集效率达到60%以上.在此基础上,通过在α粒子探测器条状电极面蒸镀一层合适厚度的硼(10B)膜转化层,成功研制了金刚石中子探测器.镀硼之后探测器对中子有明显的响应,在1V/μm电场下,对252Cf中子的能量分辨率达到9.3%,探测效率达到1.67%.同时还研究了电场强度和硼(10B)层厚度对器件探测效率的影响规律.在厚度<1.5μm时,随着厚度的增加,探测效率上升,当厚度>1.5μm时,探测效率下降.
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