【摘 要】
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栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对
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栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对比,通过论证得出电子能量低于高导带底的透射系数峰为共振隧穿机制所产生,而能量高于高k介质导带底的电子透射
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1 引言安全保密管理发展相对滞后于信息化的发展,并随着信息化的深入而不断发展和创新。20世纪六七十年代是基于大型机的时代,此时的计算机技术为少数高端人才所掌握,恶意代码、病毒、恶意操作等并不普遍,安全保密管理不是难点。随着计
新的一年—2012年在世界末日论和世界经济衰退论的重重忧虑中开始了,中国传统佳节—春节的悄悄临近又为我们增添了不少期盼喜悦的心情。网络信息技术的迅猛发展及广泛应用为我们的工作、学习和生活带来更多的方便与惊喜,个人信息隐私甚至各种账号密码屡遭泄露或被盗又给我们新增了许多烦恼和忧虑。
由于大型武器系统全寿命周期对信息化设施与手段的依赖程度越来越高,因此信息安全特别是大型应用软件的安全漏洞检测越来越受到重视。本文针对当前国防工业信息安全所面临的主要问题,研究了国防工业专用信息系统安全性分析测试技术,开发了集成化安全性分析测试管理平台,旨在提高国防工业应用软件的安全性。
信息系统集中管控作为当前解决内网安全保密问题的一种重要手段,正被越来越多的单位采纳实施。本文首先阐述了内网集中管控系统的定义与应用领域,从信息系统架构出发,应用信息系统资源分布模型和风险分布模型的相关理论,分析了单位内网集中管控系统,给出了一种形式化的安全性分析建模方法,为分析集中管控系统安全性提供理论支持。
本文提出了一种构造全介质异向介质全新方法,根据Maxwell方程组及本构方程中传导电流与位移电流对于物质电/磁偶极短相同贡献,BST陶瓷中体位移电流取代金属中面传导电流,使BST陶瓷具有异向电磁特性.从理论和实验上证明了这一理论正确性.
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应用组织工程的策略制备仿生复合支架是修复骨组织缺损的一种新兴方法.本研究通过混合交联生物活性玻璃、胶原和磷酸丝氨酸,制备了一种新型的仿生复合支架.该支架具有与天然骨组织相类似的成分.体外实验表明,复合支架在不含MC3T3-E1细胞的培养液中矿化产生了八面体晶体,与复合支架和细胞共同培养过程中的矿化产物在形态和成分上一致.这种八面体晶体最后演变成板状羟基磷灰石.支架的细胞外基质类似组分对矿化具有明显
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强迫振荡柱体绕流旋涡脱落的抑制具有重要工程意义,但比静止柱体尾流的抑制更加困难,目前这方面的研究很少.本文采用尾部喷射方法对流向振荡圆柱尾流旋涡脱落进行抑制实验,雷诺数Re=V∞D/范围为2700–9800,柱体振荡幅值A/D=0.2,柱体振荡频率范围feD/V∞=0–0.36,其中V∞为来流速度,D为柱体直径.沿圆柱母线开一个与圆柱等长、宽度为h/D=0.015的缝隙,用于喷射空气.喷射速度比V