过渡金属原子钴掺杂硅团簇CoSi6～9的密度泛函理论研究

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhengwei2

【摘要】

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利用密度泛函理论对CoSin(n=6～9)中性团簇的几何结构演化和电子结构性质进行研究,结果表明Co掺杂硅团簇的最小笼状尺寸是n=9,其中Co原子被扭曲状的Si9棱柱包拢.CoSi8团簇由于

【作者】

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傅院霞王倩吕思斌许永红汤庆国胡守信崔执凤

【机构】

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蚌埠学院效学与物理系,西北师范大学化学化工学院,安徽师范大学原子与分子物理研究所

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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密度泛函理论 Co掺杂硅团簇几何结构

【基金项目】

：

高等学校省级优秀青年人才基金;

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利用密度泛函理论对CoSin(n=6～9)中性团簇的几何结构演化和电子结构性质进行研究,结果表明Co掺杂硅团簇的最小笼状尺寸是n=9,其中Co原子被扭曲状的Si9棱柱包拢.CoSi8团簇由于存在多个能量相近的异构体,导致团簇的吸附活性降低.自然电荷布局分析表明对于茏状的Cc@Si9团簇,其电荷主要分布在外围的硅笼,内部的Co原子通过spd杂化与外部硅笼成键,这保持了笼状团簇的稳定.

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