【摘 要】
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设计并用MOCVD在GaAs衬底上分别生长了以34对AlAs/Al0.5Ga0.5As材料为下DBR,6对（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5P/AlInP材料为上DBR,以及有源区为3个GaInP/（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P量子阱的外
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设计并用MOCVD在GaAs衬底上分别生长了以34对AlAs/Al0.5Ga0.5As材料为下DBR,6对（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5P/AlInP材料为上DBR,以及有源区为3个GaInP/（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P量子阱的外延片。设计了以SiO2做阻挡层,并且深腐蚀过有源区的台形RCLED的工艺结构,利用光刻、腐蚀、等离子化学气相沉淀（PECVD）以及溅射等工艺,成功制备了波长为650nm的谐振腔发光二极管（RCLED）,并对其性能进行了测试。通过与普通LED相比较发现,R
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