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采用定位的横断面透射电子显微术观察P^+-Si0.65Ge0.35/p-Si异质结内光发射红外探测器的微结构。该器件光敏区由6层P+-Si0.65Ge0.36和5层UD-Si层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为6nm和32nm,在Si0.65Ge0.35/UD-Si界面处存在应力场,但未到晶体缺陷,非晶SiO2台阶上的Si0.65Ge0.35和UD-Si层是波浪状的多晶层,光敏区的边界处存在小于