通过电化学和化学机械抛光（CMP）实验研究了紫外光及催化剂对GaN电化学特性及去除速率的影响。电化学实验结果表明,采用K₂S₂O₈作为氧化剂时GaN的腐蚀电位随氧化剂的浓度增大而降低。在H₂O₂和K₂S₂O₈体系中分别加入ZnO催化剂并进行紫外光照射,其腐蚀电位进一步降低,腐蚀速率加快。CMP结果显示,在H₂O₂和K₂S₂O₈抛光液体系中,紫外光的加入能有效提高GaN的去除速率;加入ZnO催化剂后,GaN的去除速率进一步提高,当H₂O₂体积分数为3%、 ZnO的质量分数为0.05%时,GaN的去除速率达239.7 nm/h;当K₂S₂O₈体积分数0.15 mol/L、ZnO的质量分数0.05%时,GaN的去除速率为428.0 nm/h,此时GaN表面粗糙度为1.18 nm。紫外光照射和ZnO催化剂能够明显提高CMP过程中GaN的去除速率。