减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：daimao

【摘要】

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在发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAs HBT工艺的基础上，研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺，用简单方法制备出了发射极宽度为2pm的InGaP／GaAs HBT．发射极面积

【作者】

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石瑞英孙海峰刘训春袁志鹏罗明雄汪宁

【机构】

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四川大学物理系成都610064,中国科学院微电子研究所北京100029

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年8期

【关键词】

：

自对准工艺减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能 selfaligned smallscaled emitter improved devic

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在发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAs HBT工艺的基础上，研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺，用简单方法制备出了发射极宽度为2pm的InGaP／GaAs HBT．发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz，且集电极电流密度为7×10^A／cm^2时仍没有出现明显的自热效应．它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAsHBT的有了显著提高，并对器件性能提高的原因进行了分析．

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