【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了富硅氧化硅薄膜,利用XRD衍射仪,傅里叶变换红外透射光谱仪以及紫外-可见光分光光度计分析了氧掺入对薄膜微观结构以及能带特性的
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（60878040）, 河北省自然科学基金项目（F2013201250,E2012201059）, 河北省科技厅项目（12963930D资助
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采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了富硅氧化硅薄膜,利用XRD衍射仪,傅里叶变换红外透射光谱仪以及紫外-可见光分光光度计分析了氧掺入对薄膜微观结构以及能带特性的影响。结果表明,随着氧掺入比（CO2/SiH4）的增加,薄膜晶粒尺寸减小,晶化度降低,纳米硅（nc-Si）表面的张应力先增加后减小。红外吸收谱分析表明,氧掺入比增加导致薄膜内氧含量增高,富氧Si—O键合密度增加,富硅Si—O键合密度降低。同时,薄膜结构因子减小,有序度增大,薄膜微观结构得到改善。当氧掺入比大于0.08时,薄膜结构因子增
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