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通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置，背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时，背沟道的最坏偏置是OFF偏置；当总剂量小时则是TG偏置。而NMOSFET的最坏偏置则取决于起主要作用的是正栅还是背栅。由于辐照产生电子空穴对的过程与电场分布强相关，通过分析不同偏置下电场分布的差异确定最坏偏置的内在机制。