【摘 要】
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讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表
【机 构】
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南京大学物理系南京微结构国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(60776013,60576017,50532100),国家“973”重点基础研究项目2006CB921803),国家“863”高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
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讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示,随O2流量增大带内深能级发光带强度逐步增强,带边发光峰强度也有较大变化,薄膜光学质量先提高后退化。霍尔测量表明,随氧流量增大,薄膜电阻率逐渐增加。实验表明不同氧流量对MOCVD生长的ZnO薄膜多种性质都有规律性影
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