【摘 要】
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为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题，以k．p理论为基础建立多量子阱模型。分析研究了GaN基LED中不同的InGaN／InGaN多量子阱发光层势垒结构。基于化合物半导体器
【机 构】
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广东省光电工程技术研究中心华南理工大学
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为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题，以k．p理论为基础建立多量子阱模型。分析研究了GaN基LED中不同的InGaN／InGaN多量子阱发光层势垒结构。基于化合物半导体器件的电学，光学和热学属性的有限元分析，设计与优化多量子阱中靠近P型AIGaN电子阻档层倒数第二层势垒，显著提高了光输出功率，减少漏电流．数值模拟分析表明，改良多量子阱势垒能够大幅提高高亮度．高功率器件结构光电特性。
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